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[1]林涛,林楠,马新尖,等.量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光致发光特性的影响[J].西安理工大学学报,2012,(01):0.
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量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光致发光特性的影响

《西安理工大学学报》[ISSN:1006-4710/CN:CN 61-1294/N]

卷:
期数:
2012年01期
页码:
0
栏目:
机械工程
出版日期:
2012-02-29

文章信息/Info

Title:
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作者:
林涛;林楠;马新尖;郑凯;马骁宇;
西安理工大学自动化与信息工程学院;中国科学院半导体研究所;
Author(s):
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关键词:
量子阱混杂光致发光谱半导体激光器
Keywords:
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分类号:
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DOI:
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摘要:
研究了不同扩散温度下Zn杂质扩散诱导量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区发光特性的影响规律。当扩散时间为20 min时随着扩散温度从520℃升高到580℃,激光器外延片扩散窗口处的光致发光谱波长蓝移量从13 nm增加到65 nm,且相对发光强度减小,但PL谱的半高宽变化复杂,既有增加又有减小。较高温度和较长时间的扩散条件会对有源区的发光特性造成灾变性破坏。
Abstract:
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参考文献/References:

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备注/Memo

备注/Memo:
基金:国家自然科学基金资助项目(61106043);;陕西省教育厅科学研究计划基金资助项目(09JK630);;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20096118120009)
更新日期/Last Update: 2012-02-29